很多通信系統(tǒng)發(fā)展到某種程度都會有小型化的趨勢。一方面小型化可以讓系統(tǒng)更加輕便和有效，另一方面，日益發(fā)展的IC制造技術可以用更低的成本生產出大批量的小型產品。
MEMS(MicroElectromechanical System)是這種小型產品的相關技術之一。MEMS可以檢測環(huán)境的變化并通過微型電路產生相關反應。MEMS的主要部分包括sensor(微傳感器)或actuator(微執(zhí)行器)和transducer(轉換裝置)，其中sensor可以檢測某種物理，化學或生物的存在或強度，比如溫度，壓力，聲音或化學成分，transducer會把一種energy轉換成另外一種(比如從電信號到機械波)。
目前MEMS被廣泛的利用在多個領域里，如下圖。
這篇文章主要說說MEMS的幾種RF相關應用產品SAW,BAW, FBAR filter，也是目前手機中zui常用的幾種filter。
SAW,BAW和FBAR中，A都代表著Acoustic。Acoustic wave中文翻譯成聲波，聲波按頻率分成3段，audio,infrasonic(次聲波)和ultrasonic(超聲波)。
Audio的頻率為20Hz ~ 20KHz, 是人耳能聽見的范圍。
Infrasonic(次聲波)是低頻率，20Hz一下，人耳聽不到，可以用來研究地理現象(比如地震)。
Ultrasonic(超聲波)是20KHz到109KHz，也是人耳聽不到的范圍。
下面提到的聲波都是超聲波的范圍，首先我們看看SAW filter。
Surface Acoustic Wave(SAW) filter
顧名思義，SAW是一種沿著固體表面(surface)傳播的聲波(acoustic wave)。
一個基本的SAW filter由壓電材料(piezoelectric substrate)和2個Interdigital Transducers(IDT)組成，如下圖。
IDT是由交叉排列的金屬電極組成，上圖中左邊的IDT把電信號(electrical signal)轉成聲波(acoustic wave)，右邊的IDT把接收到的聲波再轉成電信號。
電信號和聲波(屬于mechanical wave)之間轉換也稱為electromechanical coupling。
那IDT是怎么把電信號轉成聲波呢？原因在于IDT下方的壓電材料。
壓電(piezoelectricity or piezoelectric effect)
Piezoelectricity這詞來源于希臘語 piezein，表示施加壓力，1880年由兩位法國物理學家(Pierre，Paul-Jacques Curie)發(fā)現。壓電是指某些晶體(Crystal)受到外部壓力時會產生電壓，相反地，如果某些晶體兩面存在電壓，晶體形狀會輕微變形。
為什么會發(fā)生這種現象？
首先說晶體，科學意義上的晶體指其原子或分子在三維空間內以非常有規(guī)律地排列，而且隔一段距離重復著unit cell(基本組成單元)的固體，比如食鹽和糖也是晶體。大部分晶體的unit cell原子排列是對稱的(with a center of symmetry)，不管有沒有外部壓力，基本單元里的net electric dipole始終是零，而壓電晶體的原子排列是不對稱的(lacks a center of symmetry)。
壓電晶體原子排列雖然不對稱，但正電荷(positive charge)會和附近負電荷(negative charge)相互抵消(更確切是electric dipole moments相互抵消)，所以整體的晶體不帶電。當晶體受到壓力時外形會變化，一些原子間距離會變得更近或者更遠，打亂了原來保持的平衡，出現凈電荷(net electrical charge)，晶體表面出現positive charge和negative charge。這種現象稱為壓電(piezoelectric effect)。
相反地，晶體兩端加電壓時原子受到“electrical pressure”，為了保持電荷的平衡，原子來回震動使壓電晶體形狀輕微變形。這種現象稱為reverse-piezoelectric effect。
石英(quartz)是很常見的壓電材料，我們平時生活中使用的石英表也利用了石英的壓電特性。紐扣電池給手表里面的電路供電，電路會讓石英晶體的震蕩(震動)32768次/秒，再把震蕩轉成一次/秒的脈沖，脈沖再驅動小型電機進而轉動齒輪(指針)。
SAW filter常用的壓電材料有LiTaO3，LiNbO3，SiO2等。其基本結構中左邊IDT交叉排列的電極之間交流電壓產生壓電材料的mechanical stress并以SAW的形式沿著表面?zhèn)鞑?，而在垂直方向上SAW幅度快速衰落。右邊的IDT也是同樣結構，只是接收SAW，輸出電信號。中間部分的shielding會影響輸入和輸出之間的耦合(coupling)，關系到通帶內的幅度ripple和群時延(group delay)。
SAW filter也可以用ladder type(串并組合)，如下圖。
SAW的頻率可以大致參考以下公式:F = V/λ
V是SAW的速率(velocity)，大概3100m/s, λ是IDT電極之間間距。
從公式可以看出，頻率越高IDT電極之間間距越小，所以SAW filter不太適合大約2.5GHz以上的頻率。另外很小的間距(高頻率)下電流密度太大(高功率)會導致電遷移(electromigration)和發(fā)熱等問題，當然，通過一些方法(IDT材料的改進等)也可以彌補這些。
SAW filter對溫度變化也敏感，性能隨著溫度升高變差。TC(temperature compensated)-SAW filter就是為了改善溫度性能，IDT上增加了保護涂層。普通的SAW filter頻率溫度系數(TCF, temperature coefficient of frequency)大約-45ppm/oC左右，而TC-SAW大約-15到-25ppm/oC。增加的涂層使工藝變得復雜，成本也增加，不過相對BAW filter還是便宜一些。
Bulk Acoustic Wave(BAW) filter
相比SAW filter，BAW filter更適合于高頻率。跟SAW/TC-SAW filter一樣，BAW filter的大小也隨著頻率增加而減少。另外，BAW filter有對溫度變化不敏感，插入損耗小，帶外衰減大(steep filter skirts)等優(yōu)點。
與SAW filter不同，聲波在BAW filter里是垂直傳播。從名字也可以看出，SAW是surface, 沿著表面?zhèn)鞑?，BAW是bulk，物體內傳播。
BAW filter的zui基本結構是兩個金屬電極夾著壓電薄膜(Quartz substrate在2GHz下厚度為2um)，聲波在壓電薄膜里震蕩形成駐波(standing wave)。
為了把聲波留在壓電薄膜里震蕩，震蕩結構和外部環(huán)境之間必須有足夠的隔離才能得到zui小loss和zui大Q值。聲波在固體里傳播速度為~5000m/s，也就是說固體的聲波阻抗大約為空氣的105倍，所以99.995%的聲波能量會在固體和空氣邊界處反射回來，跟原來的波(incident wave)一起形成駐波。而震蕩結構的另一面，壓電材料的聲波阻抗和其他襯底(比如Si)的差別不大，所以不能把壓電層直接deposit(沉積)在Si襯底上。
有一種方法是在震蕩結構下方形成Bragg reflector，把聲波反射到壓電層里面。Reflector由好幾層高低交替阻抗層組成，比如*層的聲波阻抗大，第二層的聲波阻抗小，第三層聲波阻抗大，而且每層的厚度是聲波的λ/4，這樣大部分波會反射回來和原來的波疊加。這種結構整體效果相當于和空氣接觸，大部分聲波被反射回來，這種結構稱為BAW-SMR(Solidly Mounted Resonator)，如下圖。
還有一種方法叫FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator), 包括Membrane type和Airgap type。
Membrane Type是從substrate后面etch到表面(也就是bottom electrode面)，形成懸浮的薄膜(thin film)和腔體(cavity)。
Membrane type類似于BAW resonator的基本模型，兩面都是空氣，由于空氣的聲波阻抗遠低于壓電層的聲波阻抗，大部分聲波都會反射回來。不過薄膜結構需要足夠堅固以至于在后續(xù)工藝中不受影響。相比BAW-SMR，membrane type
較少一部分跟底下substrate接觸，不好散熱。
Airgap type在制作壓電層之前沉積一個輔助層(sacrificial support layer)，zui后再把輔助層去掉，在震蕩結構下方形成air gap。
因為只是邊緣部分跟底下substrate接觸，這種結構在受到壓力時相對脆弱，而且跟membrane type類似，散熱問題同樣需要關注。
BAW filter種類
BAW filter可以把多個resonator按一定拓撲結構連接。BAW filter有多種類型，包括ladder type filter，lattice type filter，stacked crystal filter和coupled resonator filter。這里只簡單介紹ladder type和lattice type。
Ladder type(SAWzui后也提過)使用的resonator包括串聯(lián)和并聯(lián)，一個串聯(lián)的resonator加一個并聯(lián)的resonator稱為一個stage，整個ladder type filter可以由好幾個stage組成。
了解ladder type filter的工作原理之前我們再看看BAW resonator的基本模型，如下圖。
典型的基本結構如上圖(a)，上下金屬電極中間夾著壓電層，對應的mBVD等效電路如上圖(b)，對應的阻抗如上圖(c)，可以看出有兩個resonance頻率，串聯(lián)(fs)和并聯(lián)(fp)。工作原理如下圖。
在通頻帶(pass band)上，series resonator fs阻抗很小，保證信號通過，shunt resonator fp阻抗很大，妨礙信號通過。
Lattice filter中每一個stage有4個resonator，包括2個串聯(lián)和2個并聯(lián)，基本模型如下圖。
Ladder type可以用在單端(single-ended/unbalanced)和差分(balanced)信號上，而lattice type更適合用在差分(balanced)信號上。
BAW filter常用的壓電材料
石英(quartz)作為常見的壓電材料，在高電壓和高壓力的情況下表現出線性反應，但還沒有合適的方法把石英做成薄膜deposit在Si襯底上。合適的BAW壓電材料需要high electromechanical coupling coefficient，low electromechanical loss，high thermal stability，還要符合IC工藝技術。
目前zui常用的BAW壓電材料有AlN(aluminum nitride)，PZT(lead zirconate titanate)，ZnO(zinc oxide)。
關于波(wave)
物理上，波主要分為兩種，一種是電磁波(electromagnetic wave)，這種波不需要任何媒介，而是通過由zui初的帶電粒子產生的電場和磁場的周期性震蕩來傳播，所以在真空中也可以傳播。無線電波(radio wave)，微波(microwave)，可見光，X射線，伽馬射線都屬于電磁波。
還有一種是機械波(mechanical wave)，通過媒介(固體，液體或氣體)傳播，而且媒介的物質會變形。比如聲波在空氣中傳播時，空氣分子會跟周圍的分子互相碰撞著進行不斷的傳播。
機械波有兩種基本的wave motion; longitudinal(compressive) wave(縱波)和transverse wave(橫波)。
Longitudinal(compressive) wave(縱波)
在縱波中，粒子的運動方向和波的傳播方向是平行的，不過每個粒子不會沿著波的方向移動，只是在各自的平衡狀態(tài)上前后震動。
Transverse wave(橫波)
在橫波中，粒子的運動方向和波的傳播方向相互垂直。粒子也不會沿著波的傳播方向移動，只是在各自的平衡狀態(tài)下上下震動。
之前在本文章提到的BAW- SMR和FBAR filter圖中，聲波都以縱波(longitudinal)形式傳播，即粒子震動方向和波的傳播方向是平行的。也有不同結構，聲波以橫波(transverse)形式傳播。
而對于SAW，也叫Rayleighsurface wave，既有縱波也有橫波。固體中粒子以橢圓軌跡震動，橢圓的長軸垂直于固體表面，隨著固體深度越深，粒子運動幅度越小。
REVIEW
1. MEMS是一種小型的器件或結構系統(tǒng)，其中可能包括集成的機械器件和電子器件，感應及時的或者局部環(huán)境變化；或者有相應信號輸入時，對及時的或者局部環(huán)境做出某種物理上的交互動作。
2. 某些晶體(Crystal)受到外部壓力時會產生凈電荷，稱為piezoelectric effect；相反地，晶體兩端加電壓時原子受到“electrical pressure”，為了保持電荷的平衡，原子來回震動使壓電晶體形狀輕微變形。這種現象稱為reverse-piezoelectric effect。石英(quartz)是一種常見的壓電晶體。
3. SAW是一種沿著固體表面?zhèn)鞑サ穆暡?。SAW filter基本結構由IDT和壓電材料組成，IDT和壓電材料把電信號轉成機械波(聲波)，再把機械波(聲波)轉成電信號。TC-SAW是為了改善溫度性能，增加了保護涂層。
4. 相比SAW filter, 聲波在BAW filter物體內傳播(縱波或橫波)。BAW filter結構有BAW - SMR，FBAR(membrane type和airgap type)。
BAW filter更適合于2.5GHz以上的頻率，BAW filter的制造工藝也非常符合現有的IC制造工藝，適合和其他的active電路做整體的integration。
ref:
1. FABRICATION AND CHARACTERIZTION OF ALN THIN FILM BULK ACOUSTIC WAVE RESONATOR, Qingming Chen, 2006
2. What is SAW Filters, Token, 2010
3. MEMS Everywhere.pdf, Yole,
4. http://www.edn。。ｃｏｍ/design/wireless-networking/4413442/SAW--BAW-and-the-future-of-wireless
5. http://mems.usc.edu/fbar.htm
6. http://www.explainthatstuff。。ｃｏｍ/piezoelectricity.html
7. http://www.explainthatstuff。。ｃｏｍ/quartzclockwatch.html
8. http://www.acs.psu.edu/drussell/Demos/waves/wavemotion.html
9. SiP/SoCIntegration of RF SAW/BAW Filters, Ken-ya Hashimoto, Chiba University
10. A Study on Baw Technology: Reconfiguration of FBAR Filter, Shivani Chauhan1 Paras Chawla2
11. Bulk Acoustic Wave Devices – Why, How, and Where They are Going, Steven Mahon 1 and Robert Aigner
12. Lattice FBAR Filters: Basic Properties and Opportunities for Improving the Frequency Response, Ivan Uzu, Dobromir Gaydazhiev2, Ventsislav Yantchev
出處：電路說
